的晶体管。
东芝公司选择垂直磁化方式的另一个原因，是其能够在缩小单元面积的同时，提高元件的热稳定性。而在通常情况下，这两项指标是难以兼顾的。在存储器中，如果热稳定性太差，在周围热量的影响下，元件在低电阻状态和高电阻状态之间发生跃迁的概率就会增加。这样一来，在不加载读取电流时，将会导致数据保持特性的恶化；而在加载读取电流时，则容易发生误写入操作。
该公司解释说：“在采用垂直磁化方式以后，tmr元件在水平方向上的长宽比可以达到1，即可以采用圆形的tmr元件。在长宽比为1的情况下，能够很容易地利用最小特征尺寸来制造元件。这就是存储单元面积能够实现6f2-8f2的主要原因。”
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