利用磁阻效应的非易失性存储器mram最近开始复苏，全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型mram。在与磁存储相关的国际会议—第52届磁学与磁性材料年会(52nd annual conference on magnetism and magnetic materials，mmm)上，多家厂商相继发布了多种技术方案，可以将自旋注入mram的制造工艺提升到45nm-32nm，并将存储单元的面积缩小到与dram大致相当的6f2-8f2(f为最小特征尺寸)。这种新型mram的应用目标，除了取代车载mcu中的嵌入式存储器以外，还将取代手机中的mcp(多芯片封装)，以及独立dram……
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